派恩杰半導(dǎo)體成立于2018年9月，是中國第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)先品牌，主營車規(guī)級碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵功率器件。公司擁有國內(nèi)最全碳化硅功率器件產(chǎn)品目錄，碳化硅MOSFET與碳化硅SBD產(chǎn)品覆蓋各個電壓等級與載流能力，均通過AEC-Q101測試認證，可以滿足客戶的各種應(yīng)用場景，提供穩(wěn)定可靠的車規(guī)級碳化硅功率器件產(chǎn)品。
派恩杰半導(dǎo)體擁有深厚的技術(shù)底蘊和全面的產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，創(chuàng)始人黃興博士于09年起深耕于碳化硅和氮化鎵功率器件的設(shè)計和研發(fā)，師承IGBT發(fā)明人B. Jayant Baliga教授及晶閘管發(fā)明人Alex Huang教授。目前，派恩杰半導(dǎo)體在650V、1200V、1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模塊和GaN HEMT產(chǎn)品，量產(chǎn)產(chǎn)品已在電動汽車、IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產(chǎn)品質(zhì)量與供應(yīng)能力得到客戶的廣泛認可。
碳化硅二極管（SiC SBD）
SiC SBD（碳化硅肖特基二極管）的反向恢復(fù)電荷遠小于硅二極管同類產(chǎn)品，并且 SiC SBD可以運行在更高的結(jié)溫下。因此，SiC SBD在開關(guān)電源中能夠明顯地減少反向恢復(fù)損耗和開關(guān)噪聲，提高開關(guān)電源的轉(zhuǎn)換效率，整體功率密度和可靠性。SiC SBD優(yōu)異的特性可以顯著降低電力電子系統(tǒng)的整體成本。
2.碳化硅場效應(yīng)管（SiC MOSFET）
SiC MOSFET的出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了一場影響深遠的技術(shù)革命。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻，開關(guān)損耗，高溫運行和導(dǎo)熱性上的優(yōu)異特性極大地提升了電力電子系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，并使得系統(tǒng)的整體成本降低。因此，在汽車應(yīng)用，工業(yè)應(yīng)用，通信電源和數(shù)據(jù)中心，SiC MOSFET正在逐步替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。派恩杰半導(dǎo)體在650V，1200V，1700V多個電壓平臺均有量產(chǎn)的分立器件產(chǎn)品，且在不同載流能力和封裝形式上，產(chǎn)品目錄齊全，可以為客戶提供全方位的選擇。
3.碳化硅模塊（SiC MODULE）
在大功率電力電子變換器應(yīng)用中，功率模塊以其極高的集成度和良好的散熱性能，成為業(yè)界的主流的解決方案。相比于硅基半導(dǎo)體功率器件，碳化硅MOSFET在導(dǎo)通損耗，開關(guān)損耗，最高運行結(jié)溫和導(dǎo)熱性能上，具有明顯的優(yōu)勢。因此，基于碳化硅MOSFET的功率模塊在近年來受到工業(yè)界的廣泛關(guān)注。碳化硅功率模塊在電動汽車上的成功應(yīng)用，不但增加了電動汽車的續(xù)航里程，而且提高了電動汽車的整體可靠性。同時，碳化硅功率模塊在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，如光伏，儲能，電力系統(tǒng)等，也有潛在的競爭力和應(yīng)用價值。
碳化硅二極管（SiC SBD
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